Il CNR lavora a nuovi dispositivi elettronici, altamente performanti ed a basso consumo energetico. Nei laboratori dell’Istituto per la microelettronica e microsistemi si sviluppa l’elettronica del futuro.
Gli studi condotti dai ricercatori dell’Istituto per la microelettronica e microsistemi del Consiglio nazionale delle ricerche (Cnr-Imm) nell’ambito del progetto europeo Skytop (https://skytop-project.eu), e pubblicate su Advanced Functional Materials e Advanced Materials Interfaces, hanno dimostrato un’elevata efficienza di conversione spin-carica nel tellururo di antimonio (Sb2Te3), un isolante topologico che è stato “cresciuto” mediante la tecnica di deposizione chimica da fase vapore metallorganica (Mocvd), già ampiamente impiegata in contesti industriali. L’importanza della ricerca è duplice.
“Da un lato, abbiamo sviluppato convertitori spin-carica caratterizzati da un’efficienza paragonabile (ed in alcuni casi superiore) a quella riportata ad oggi in sistemi allo stato dell’arte basati su isolanti topologici”, spiega Roberto Mantovan, ricercatore del Cnr-Imm. “Dall’altro, l’impiego della tecnica Mocvd ci ha permesso di ottimizzare la produzione degli isolanti topologici, cuore di tali processi di conversione, su substrati di silicio aventi un’area di diversi centimetri. E questo è un requisito fondamentale per colmare il gap tra la ricerca di base e il trasferimento tecnologico di tali materiali avanzati nei dispositivi elettronici del futuro, caratterizzati da nuove funzionalità, elevate prestazioni e basso consumo energetico”.